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面向半导体晶圆应用的复合衬底解决计划。。。。。。通过CVD手艺在硅(Si)或碳化硅(SiC)晶圆外貌沉积金刚石层,,,,,,兼具Si/SiC的半导体兼容性与金刚石质料固有的高热导特征。。。。。。在包管晶圆基本属性的条件下,,,,,,实现更高效的热治理性能,,,,,,有用缓解高功率半导体器件的散热挑战,,,,,,适配晶圆级批量加工需求。。。。。。